目前獲得的2D GaN僅可以作為原子級薄量子阱或納米級島的嵌入層存在，限制了其固有特性進一步探索。武漢大學(xué)付磊課題組首次報道了2D GaN單晶的成功生長，并研究了GaN單晶在2D極限下的性能。使用尿素作為氮源，通過CVD的表面限制氮化反應(yīng)（SCNR）在液態(tài)金屬Ga上進行生長微米級2D GaN單晶，并證明2D GaN具有均勻增量晶格，獨特的聲子模式，藍移光致發(fā)光發(fā)射和提高內(nèi)部量子效率，為以前的理論預(yù)測提供直接證據(jù)。生長的2D GaN表現(xiàn)出160cm 2 V-1 s-1的電子遷移率。這些發(fā)現(xiàn)為2D GaN單晶的潛在光電應(yīng)用鋪平了道路。Yunxu Chen, Keli Liu, Jinxin Liu, Tianrui Lv, Bin Wei, Tao Zhang, Mengqi Zeng, Zhongchang Wang, Lei Fu, Growth of 2D GaN Single Crystals on Liquid Metals[J], J. Am. Chem. Soc., 2018.

DOI: 10.1021/jacs.8b08351

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.8b08351

來源：納米人網(wǎng)