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    全國(guó)服務(wù)熱線：
    
                    
    021-57555126
    
                
    
            
    
        
    
    
    
    

    

                


        
    
	
    
		
    
		                                    
    
                    
    
                    					
    
						
    2D氮化鎵（GaN）因其量子限制效應(yīng)能夠?qū)崿F(xiàn)深紫外發(fā)射，激子效應(yīng)和電子傳輸性質(zhì)而備受關(guān)注
    
						
    
							2018-11-05
                                							 
                                                                							
    								
    								    							
                            						
    
					
    
					
    
						
    目前獲得的2D GaN僅可以作為原子級(jí)薄量子阱或納米級(jí)島的嵌入層存在，限制了其固有特性進(jìn)一步探索。武漢大學(xué)付磊課題組首次報(bào)道了2D GaN單晶的成功生長(zhǎng)，并研究了GaN單晶在2D極限下的性能。使用尿素作為氮源，通過(guò)CVD的表面限制氮化反應(yīng)（SCNR）在液態(tài)金屬Ga上進(jìn)行生長(zhǎng)微米級(jí)2D GaN單晶，并證明2D GaN具有均勻增量晶格，獨(dú)特的聲子模式，藍(lán)移光致發(fā)光發(fā)射和提高內(nèi)部量子效率，為以前的理論預(yù)測(cè)提供直接證據(jù)。生長(zhǎng)的2D GaN表現(xiàn)出160cm 2 V-1 s-1的電子遷移率。這些發(fā)現(xiàn)為2D GaN單晶的潛在光電應(yīng)用鋪平了道路。Yunxu Chen, Keli Liu, Jinxin Liu, Tianrui Lv, Bin Wei, Tao Zhang, Mengqi Zeng, Zhongchang Wang, Lei Fu, Growth of 2D GaN Single Crystals on Liquid Metals[J], J. Am. Chem. Soc., 2018.

    DOI: 10.1021/jacs.8b08351

    https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.8b08351

    來(lái)源：納米人網(wǎng)